发信人: zhangyu1000()
整理人: Bill(2000-11-26 08:31:54), 站内信件
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带高速缓存动态随机存储器：CDRAM（Cached DRAM）
CDRAM是日本三菱电气公司开发的专有技术，通过在DRAM芯片上集成一定数量
的高速SRAM作为高速缓冲存储器Cache和同步控制接口，来提高存储器的性能。这
种芯片使用单一的＋33V电源，低压TTL输入输出电平。目前三菱公司可以提供
的CDRAM为4MB和16MB版本，其片内Cache为16KB，与128位内部总线配合工作，可
以实现100MHz的数据访问。流水线式存取时间为7纳秒。
Direct Rambus接口动态随机存储器：DRDRAM（Direct Rambus DRAM）
从1996年开始，Rambus公司就在Intel公司的支持下制定出新一代RDRAM标准
，这就是DRDRAM。它与传统DRAM的区别在于引脚定义会随命令而变，同一组引脚
线可以被定义成地址，也可以被定义成控制线。其引脚数仅为正常DRAM的三分之
一。当需要扩展芯片容量时，只需要改变命令，不需要增加芯片引脚。这种芯片
可以支持400MHz外频，再利用上升沿和下降沿两次传输数据，可以使数据传输率
达到800MHz。同时通过把单个内存芯片的数据输出通道从8位扩展成16位，这样在
100MHz时就可以使最大数据输出率达16GB／s。
双数据传输率同步动态随机存储器：DDR DRAM（Double Data Rate DRAM）
在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环（Delay－1ocked L
oop）技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿
都可传输数据（而不是第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据，“DDR”即
是“双数据率”的意思），这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提
高一倍。由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块
，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服务器和工作站上。另外，
最近出品的GeForce 256显卡大量采用了DDR存储器，显示效果成倍提升。
同步链动态随机存储器：SLDRAM（Synchnonous Link DRAM）
由IBM、惠普、苹果、NEC、富士通、东芝、三星和西门子等大公司联合制定
的一种原本最有希望成为标准高速DRAM的存储器。这是一种在原DDR DRAM基础上
发展起来的高速动态读写存储器。它具有与DRDRAM相同的高数据传输率，但其工
作频率要低一些，可用于通信、消费类电子产品、高档PC和服务器中。由于SLDR
AM联盟成员之间难以协调一致，加上Intel公司不支持这种标准，所以这种动态存
储器难以形成气候。
虚拟通道存储器：VCM（Virtual Channel Memory）
VCM由NEC公司开发，是一种新兴的“缓冲式DRAM”，该技术将在大容量SDRA
M中采用。它集成了所谓的“通道缓冲”，由高速寄存器进行配置和控制。在实现
高速数据传输（即“带宽”增大）的同时，VCM还维持着与传统SDRAM的高度兼容
性，所以通常也把VCM内存称为VCM SDRAM。在设计上，系统（主要是主板）不需
要作大的改动，便能提供对VCM的支持。VCM可从内存前端进程的外部对所集成的
这种“通道缓冲”执行读写操作。对于内存单元与通道缓冲之间的数据传输，以
及内存单元的预充电和刷新等内部操作，VCM要求它独立于前端进程进行，即后台
处理与前台处理可同时进行。由于专为这种“并行处理”创建了一个支撑架构，
所以VCM能保持一个非常高的平均数据传输速度，同时不用对传统内存架构进行“
大手笔”的更改。采用VCM后，系统设计人员不必再受限于目前令人捉襟见肘的内
存工作方式，因为内存通道的运行与管理，都可移交给主板芯片组自己去解决。
快速循环动态存储器FCRAM：（Fast Cycle RAM）
FCRAM由富士通和东芝联合开发，数据吞吐速度可达普通DRAM/SDRAM的4倍。
FCRAM将目标定位在需要极高内存带宽的应用中，比如业务繁忙的服务器以及3D图
形及多媒体处理等。FCRAM最主要的特点便是行、列地址同时（并行）访问，而不
像普通DRAM那样，以顺序方式进行（首先访问行数据，再访问列数据）。此外，
在完成上一次操作之前，FCRAM便能开始下一次操作。为提高内存的数据吞吐速度
，FCRAM和VCM采取了截然不同的两种方式。前者从内部入手，后者则“内外一齐
抓”，在拓宽内存（存储）单元、芯片接口、内存控制器的带宽上下大功夫。FC
RAM的开发计划自1999年2月初便已开始。按照富士通和东芝的协议，它们将联合
开发64MB、128MB和256MB的FCRAM。但和VCM、RDRAM内存技术不同的是，它面向的
并不是PC机的主内存，而是诸如显示内存等其他存储器上。在制造工艺上，由于
采用的是022微米工艺，所以FCRAM号称能做出世界上最小的内存颗粒。由于芯
片面积减少，所以在相同的硅晶片上，可生产出更多的颗粒，从而有效提高了这
种内存的产量。这样，一方面降低了生产成本，另一方面则提高了产品性能。富
士通公司表示到2001年投入128MB和256MB FCRAM的量产，公司计划到2003年达到
每月生产2～3百万片的生产能力。
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